Здравствуйте, господа!
Имеется следущая проблема. Передо мной поставлена следующая задача - исследовать влияние различных режимов лазерного легирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур InGaP/GaP. Занимаюсь я уже этим делом продолжительное время, кое в чём приуспел. Однако, кое-что в этой задаче меня смущает, а именно перспективность использования в электронике гетероструктур именно на основе рассматриваемых соединений. Кроме того, масла в огонь подливает полное отсутствие иностранных статей по исследованию гетероструктур на основе InGaP/GaP - как правило в развитых странах народ изучает соединения InGaP/GaAs, InGaP/InGaAlP, и т.д. Вот такая вот проблема.
Возможно кто-то из Вас занимается работой с гетероструктурами и может посоветовать что-то по даной темтике особенно касательно фотоэлектрических свойств гетероперходов InGaP/GaP. К тому же интересует и свежая литература по тематике гетерострутур потому как Шарма Пурохит, Милнс Фойхт и статьи Алфёрова написаны достаточно давно, хотя конечно в них содержится основа, но может быть кто-то и з Вас читал что-то из новоопубликованного и может посоветовать?
Оно?
__________________
Хуй на все на это и в небо по трубе... (Е.Л.)
|